စက်မှု induction အပူပေးစက် (မီးဖို) တွင် Mosfet, IGBT နှင့် vacuum triode တို့ကို အသုံးချခြင်း

ခေတ်မီသည်။ Induction အပူစွမ်းအင် ထောက်ပံ့ရေးနည်းပညာသည် အဓိကအားဖြင့် ပင်မပါဝါသုံးကိရိယာများဖြစ်သည့် MOSFET၊ IGBT နှင့် vacuum triode တို့ကို အဓိကအားထားရာဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့တစ်ခုစီသည် သီးခြားအက်ပလီကေးရှင်းအခြေအနေများတွင် အစားထိုး၍မရသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။ MOSFET သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ကြိမ်နှုန်းမြင့်ဝိသေသလက္ခဏာများ (100kHz-1MHz) ကြောင့် တိကျသောအပူပေးခြင်းနယ်ပယ်တွင် ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာပြီး လက်ဝတ်ရတနာအရည်ပျော်ခြင်းနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းဂဟေဆက်ခြင်းကဲ့သို့သော ပါဝါနည်းပါးပြီး တိကျမှုမြင့်မားသောအခြေအနေများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ ၎င်းတို့အနက် SiC/GaN MOSFET သည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို 90% ကျော်အထိ တိုးမြှင့်ထားသော်လည်း ၎င်း၏ ပါဝါကန့်သတ်ချက် (ပုံမှန်အားဖြင့်

အလယ်အလတ်ကြိမ်နှုန်းနှင့် စွမ်းအားမြင့် (1kHz-100kHz) နယ်ပယ်တွင် IGBT သည် ပြိုင်ဆိုင်မှုပြင်းထန်သော အားသာချက်ကို ပြသထားသည်။ စက်မှုအရည်ပျော်မီးဖိုများနှင့်သတ္တုများ၏အဓိကကိရိယာအဖြစ် အပူကုသမှု ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများ၊ IGBT module များသည် MW အဆင့်ပါဝါထွက်ရှိမှုကို အလွယ်တကူရရှိနိုင်ပါသည်။ ၎င်း၏ ရင့်ကျက်သောနည်းပညာနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ကုန်ကျစရိတ်-ထိရောက်မှုတို့က ၎င်းအား သံမဏိနှင့် အလူမီနီယံသတ္တုစပ်များကဲ့သို့သော စီမံဆောင်ရွက်သည့်ပစ္စည်းများအတွက် စံရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ SiC နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခြင်းနှင့်အတူ၊ IGBT မျိုးဆက်သစ်၏ လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းသည် 50kHz ကိုကျော်လွန်သွားပြီး အလယ်အလတ်လှိုင်းနှုန်းစဉ်တွင် ၎င်း၏စျေးကွက်လွှမ်းမိုးမှုကို ပိုမိုခိုင်မာစေသည်။

အလွန်မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းနှင့် ပါဝါမြင့်မားသော အခြေအနေများ (1MHz-30MHz) တွင်၊ လေဟာနယ် triode များသည် မတုန်လှုပ်နိုင်သော အနေအထားကို ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားဆဲဖြစ်သည်။ အထူးသတ္တု ရောစပ်ခြင်း၊ ပလာစမာ ထုတ်လုပ်မှု သို့မဟုတ် ထုတ်လွှင့်မှု ထုတ်လွှင့်ခြင်း ကိရိယာများ ပဲဖြစ်ဖြစ်၊ လေဟာနယ် triode များသည် မဂ္ဂါဝပ်အဆင့် တည်ငြိမ်သော ပါဝါအထွက်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောဗို့အားမြင့်ခုခံမှုနှင့် ရိုးရှင်းသောဒရိုက်ဗိသုကာသည် ၎င်းအား ထိရောက်မှုနည်းသော (50%-70%) နှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားသော်လည်း၊ တိုက်တေနီယမ်နှင့် ဇာကွန်နီယမ်ကဲ့သို့သော တက်ကြွသောသတ္တုများကို ပြုပြင်ရန်အတွက် စံပြရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

လက်ရှိနည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် ပေါင်းစည်းခြင်း၏ ပြတ်သားသောလမ်းကြောင်းကိုပြသသည်- MOSFET သည် SiC/GaN နည်းပညာမှတစ်ဆင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်နှင့် စွမ်းအားမြင့်နယ်ပယ်များသို့ ဆက်လက်ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်နေပါသည်။ IGBT သည် ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုမှတစ်ဆင့် အလုပ်လုပ်သော လှိုင်းနှုန်းစဉ်ကို ဆက်လက်ချဲ့ထွင်နေပါသည်။ လေဟာနယ်ပြွန်များသည် ၎င်းတို့၏ အလွန်မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းအားသာချက်များကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်၊ Solid-state ကိရိယာများမှ ပြိုင်ဆိုင်မှု ဖိအားနှင့် ရင်ဆိုင်ရစဉ်။ ဤနည်းပညာဆင့်ကဲပြောင်းလဲမှုသည် induction အပူပါဝါထောက်ပံ့မှု၏စက်မှုအခင်းအကျင်းကိုပြန်လည်ပုံဖော်နေသည်။

အမှန်တကယ်ရွေးချယ်ရာတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် ကြိမ်နှုန်း၊ ပါဝါနှင့် စီးပွားရေး၏ အဓိကအချက်သုံးချက်ကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သည်- MOSFET သည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်ခြင်းနှင့် ပါဝါနိမ့်မှုအတွက် IGBT ကို ဦးစားပေးရွေးချယ်သည်၊ IGBT ကို လှိုင်းအလတ်နှင့် စွမ်းအားမြင့်အတွက် ရွေးချယ်ထားပြီး အလွန်မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းနှင့် ပါဝါမြင့်မားမှုအတွက် လေဟာနယ် triode များကို လိုအပ်နေသေးသည်။ wide-bandgap semiconductor နည်းပညာ တိုးတက်လာမှုနှင့်အတူ၊ ဤရွေးချယ်မှုစံနှုန်းသည် ပြောင်းလဲနိုင်သော်လည်း မကြာမီကာလအတွင်းတွင်၊ စက်သုံးမျိုးသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာနယ်ပယ်များတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ဆက်လက်ပါဝင်နေပြီး ပိုမိုထိရောက်ပြီး တိကျသောဦးတည်ချက်ဆီသို့ induction အပူနည်းပညာ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ပူးတွဲမြှင့်တင်မည်ဖြစ်သည်။